深圳市丛王实业有限公司
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从之前丛王U盘工厂讲述过关于四种SLC、MLC等的一些详细介绍，而如下则是关于SLC与MLC处于两极的存储问题，和SLC相比,MLC虽然具有存储密度高,生产成本低的优势,但其缺点也非常明显:误码率高、读写机构复杂、读写速度慢、耗电量增大、寿命短。这些问题不克服,MLC的推广使用将会遇到难以逾越的障碍。于是MLC的生产厂商进行针对性的技术研发。
1.采用损耗均衡( Wear Leveling)技术,克服MLC寿命短的问题
所谓的损耗均衡,简单来说,就是用映射的方法,把将要写入的地址映射到写入次数Z少的区块上面去,其目的就是尽量让Fash芯片上各处的单元擦写次数保持尽量相似这是因为,每个存储单元的Z大读写次数是一定的,如果不使用损耗均衡技术对存储单元的读写操作进行控制,少数单元被频繁读写的情况必然会发生,从而使这些单元读写次数很快达Z大值,并遭到损坏。损耗均衡技术的使用,使读写操作被平均分布到了整个MLC存储介质上, MLC Flash芯片的局部老化现象得到了缓解,很大程度上延长了 MLC Flash的使用寿命,一定程度上维护了 MLC Flash芯片数据安全。
不过相对而言，采用MLC颗粒的U盘可擦写1万次以上，而采用SLC颗粒的U盘使用寿命是长达10万次，这种之间的巨大差距，不会说依靠损耗均衡( Wear Leveling)技术就能弥补很大部分，所以在选择U盘批发的时候，需要考虑好它的主要用途，是否需要长期售后或者合作客户出现了不可擦写情况，是否会影响合作，像我们作为丛王作为专业的U盘工厂，是一直在努力给客服更多的选择和更好的质量。
2.采用多通道技术,提高MLC读写速度
MLC另外一个缺点就是明显低下的读写速度。为此,MLC采用了多通道技术MLC的多通道技术,就是使多块芯片同时工作,性能加倍。即使同一块芯片内部也可以集成2片晶元(堆叠技术),甚至一片晶元上可以集成2个甚至更多的读写单位同步运MLC的多通道技术,就是使多块芯片同时工作,性能加倍。即使同一块芯片内部也可以集成2片晶元(堆叠技术),甚至一片晶元上可以集成2个甚至更多的读写单位同步运作,提升速度。
通过采用多通道技术,MLC芯片的读写速度明显提高,通过测评,一些MLC技术的SD卡的读写速度已经超过了SLC芯片的高速卡。现在,MLC已经不是读写速度低下的代名词。此外,由于MLC通常需要ECC来保证数据的安全可靠,为此很多MLC芯片通过在其内部建立专门处理ECC的硬件运算单元,从而使其ECC运算速度得到了明显提高,这也是MLC的读写速度提高不可或缺的因素之一。
这只是一部分的MLC提升技术，还有其他的MLC问题需要提升，也已经有相应的技术，毕竟SLC芯片的价格远高于MLC芯片，在不是顾客进行U盘批发时，毕竟是较多的数量，无法说不考虑更为节约成本花费，所以说在这块技术上的发展不仅说是为了技术的完善，而且也是为了说在我们U盘工厂节约成本的同时，为顾客节约费用。
